如图3所示，用功率MOSFET构成PWM逆变器，用单片机作为信号源，产生频率为20～38 kHz的方波、2.5～3 W/cm2的功率;阻抗匹配使超声电源向换能器负载实现最大功率传输。图3中VD1，C1为自举二极管和自举电容，VD1必须使用与功率开关管相同耐压等级的快恢复二极管，自举电容设计也至关重要，C1的耐压比功率器件充分导通时所需的驱动电压(典型值为10 V)高。若在C1的充电路径上有1.5 V的压降，且假定有一半的栅压因泄露而降低，则自举电容C1可按式(4)来选取：
低频超声透皮仪中的超声波驱动电路
而控制电路主要由单片机系统和驱动电路组成。单片机系统通过自身的PWM驱动电路产生频率为28 kHz的方波，并将该信号送入IR2112驱动电路进行隔离放大后推动功率MOSFET工作。用半桥式逆变开关电路作为超声波发生器的功放电路，MOSFET1、MOSFET2轮流导通，在变压器的副边可以得到一个交变的激励信号，从而实现逆变的功能。而由R3，C4，D1构成的吸收电路，吸收了功率开关引入的尖峰脉冲，保护功率开关管。
